每個半導體產品的製造都需要數百個工藝，整（zhěng）個製造過程分為八個步驟：晶圓加工 - 氧化 - 光刻 -刻蝕 - 薄膜沉積 - 互連 - 測試 - 封裝。

所（suǒ）有半導體（tǐ）工藝都始（shǐ）於一粒沙子！因為（wéi）沙子所含的（de）矽（guī）是生（shēng）產晶圓所需要的原材料。晶圓是將矽 (Si)或砷化镓 (GaAs) 製成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的矽材料需要用（yòng）到矽砂，一種二氧化矽含量高達 95% 的（de）特殊材料，也是製作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是製作獲（huò）取上述晶圓（yuán）的過程（chéng）。

鑄錠（dìng）

首 先 需（xū） 將 沙 子（zǐ） 加 熱， 分（fèn） 離 其中的一氧化碳和矽，並不斷重複該過程直至（zhì）獲得超高純度的電子級矽 (EG-Si)。高（gāo）純矽熔化成液體，進（jìn）而再凝固成單晶固體形式，稱為“錠”，這（zhè）就是半導體（tǐ）製造的第一步。矽錠（矽柱）的（de）製作精度要求很高，達到納米級，其廣泛應用的製造方法是提拉法。

錠（dìng）切割

前一個步驟完成後，需要用金剛石（shí）鋸切掉鑄錠的兩端（duān），再將其（qí）切割成一定厚度的薄片。錠薄片直徑決定了晶圓的尺寸，更大更（gèng）薄的晶圓能被分割成更多（duō）的可用單元（yuán），有助於降低生產成本。切割矽錠後需在（zài）薄片上加入“平坦區”或“凹痕（hén）”標記，方便在後續步驟（zhòu）中以其為標準設置加（jiā）工方向。

晶圓表麵拋光

通過上述切割過程獲得的薄片被稱為“裸片”，即未經加工的（de）“原料晶圓”。裸片的表麵凹凸不平，無法直接在上麵印製電路（lù）圖形。因此，需要先通過研磨和化學刻蝕（shí）工（gōng）藝去除表麵瑕疵，然後通（tōng）過拋光形成光潔的表麵，再通過清洗去除殘留汙染物，即可獲得表麵整潔的成品晶圓。

氧化（huà）過（guò）程的作用是在晶圓表（biǎo）麵形成（chéng）保護膜。它可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電流進入（rù）電路、預防離子植入過程（chéng）中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。

氧化過程的第（dì）一步是去除雜（zá）質和汙染（rǎn）物，需要通過四步去除（chú）有機物、金屬等雜質及蒸發殘留（liú）的水分。清潔完成後（hòu）就可以將晶圓（yuán）置於（yú） 800至 1200 攝氏度的高溫環境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表麵的流動形成二氧化矽（guī）（即“氧化物”）層。氧氣擴散通過氧化層與矽反（fǎn）應形成（chéng）不同厚度的氧化層，可以在氧化完成後測量（liàng）它的厚度。

幹法氧化和濕法氧（yǎng）化根據氧化反應中氧化劑的不同，熱氧化過程可分（fèn）為幹法氧化和（hé）濕法氧化，前者使用純氧產生（shēng）二氧化矽層，速度慢但氧化層薄而致密，後者需同時使用氧氣和（hé）高（gāo）溶解度的水蒸氣，其特點是生長速度快但保護層相（xiàng）對較厚且密度較低。

除氧化（huà）劑以外，還有其他變量會影響到二氧化矽層的厚度。首先，晶圓結構及其表麵缺陷（xiàn）和內部摻雜濃度都會影響氧化層的生成速率。此外，氧化設備產生（shēng）的壓力和溫度越高，氧化層的生成就越快。在氧化過程，還需要根據單元中晶圓的位置而使用假片，以保護晶圓並減（jiǎn）小氧（yǎng）化度的差異。

光刻是通過光線 將（jiāng） 電 路 圖 案“ 印刷”到晶圓上，香蕉视频下载入口可以將其理解為在晶圓表麵繪製半導體製造所（suǒ）需的平（píng）麵（miàn）圖。電路圖案的精細度（dù）越高，成（chéng）品芯片的集成度就越高，必須（xū）通（tōng）過先進的光刻（kè）技術才（cái）能實現。具體（tǐ）來說，光刻可分為塗覆光刻（kè）膠（jiāo）、曝光（guāng）和顯影三個步驟。

塗覆

光刻膠（jiāo）在晶圓（yuán）上（shàng）繪製電路的第一步是在氧化層上塗覆光刻膠。光刻膠通過改變化學性質的方式讓（ràng）晶圓（yuán）成為“相紙”。晶圓（yuán）表麵（miàn）的光刻膠層越薄，塗覆越均勻，可以印刷的圖形就越精細。這個步驟可以采用“旋塗”方法（fǎ）。根據光（紫外線）反應性（xìng）的區別，光刻膠（jiāo）可分為兩種：正膠和（hé）負膠，前者在受光後會分解並消失，從而留下未（wèi）受光區域的圖形，而後者在受光（guāng）後會聚（jù）合並讓受光部分的圖形顯現出來。

曝光

在（zài）晶圓上覆蓋光（guāng）刻膠薄膜後，就可以通過控製光線照射來完成電（diàn）路印刷，這個過程被稱為“曝光”。香蕉视频下载入口可以通過曝光設備來選擇性地通過（guò）光線，當光線穿過包含（hán）電路圖案的掩膜時，就能將電路印製到下方塗有光（guāng）刻膠薄膜的（de）晶圓上。

在曝光過程中，印刷圖（tú）案越精細，最終的芯片就能夠容納更多元件，這有助於提高生產效率並降低單個元件的成本。在這個領（lǐng）域，目前備受（shòu）矚目（mù）的新技（jì）術是 EUV 光刻。泛（fàn）林集團與戰略合作夥伴 ASML 和 imec 共同研發出了一種全新的幹膜（mó）光刻膠技術。該技術能（néng）通（tōng）過提（tí）高分辨率（微調電路（lù）寬度（dù）的關鍵（jiàn）要素）大（dà）幅（fú）提（tí）升 EUV 光刻（kè）曝光工藝的生產率和良率。

顯影

曝光之（zhī）後的步驟是在晶圓上噴塗顯影劑，目的是去除圖形未覆蓋區域的光（guāng）刻膠，從而讓印刷好的電路圖案顯現（xiàn）出來。顯影（yǐng）完成後需要通（tōng）過各種測量設備和光學顯微鏡進行檢查，確保（bǎo）電路圖繪（huì）製的質量（liàng）。

在晶圓上完成電路圖的光刻後， 就要用刻蝕工藝來去除任何（hé）多餘的氧化膜且隻留下半導體（tǐ）電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離（lí）子體來去（qù）除（chú）選定的多（duō）餘部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決於所使用的（de）物質：使用特定的（de）化學溶液進行化學（xué）反應來去除氧化膜的濕法刻（kè）蝕，以及使用氣體或等離子體的幹（gàn）法刻蝕。

濕法（fǎ）刻蝕

使用化學溶液去除氧化膜（mó）的濕法刻蝕（shí）具有（yǒu）成本低、刻（kè）蝕速度快和生產率高的優勢。然而，濕法刻蝕具有各向同性的特點，即其速度在任何方向上（shàng）都是相同的。這會導致掩（yǎn）膜（或敏感膜）與刻蝕後的氧化膜不能完全對齊，因此很難處理非常精細的電路圖。

幹法刻蝕

幹法刻蝕可分為三種不同類型。第一種（zhǒng）為化學刻蝕，其使用的是（shì）刻蝕氣體（主要是氟化氫）。和濕法刻蝕一樣，這種方法也是各向同性的，這意味著它也不適合用於精細的刻蝕（shí）。

第二種方法是物（wù）理濺射，即用等離子體中的離（lí）子來撞擊並去除多餘的氧化層。作為一種各向異（yì）性的刻蝕方法，濺射刻蝕在水平和垂（chuí）直方向的刻蝕速度是不同的，因此它（tā）的（de）精（jīng）細度也要超過化學刻蝕。但這種方法的缺點是刻（kè）蝕速度較慢，因為它完全依賴於離（lí）子碰撞引（yǐn）起的（de）物理反應。

最後的第三種方法就是反應離子刻 蝕 (RIE)。RIE結合了前兩種（zhǒng）方法，即在利用等離子體進行（háng）電離物理刻蝕的同時，借助等離子體活化後產生的（de）自由基進行化（huà）學刻蝕。除了刻蝕（shí）速度超過前兩種方法（fǎ）以外，RIE 可以利用離子各向異性的特性，實現高精細（xì）度圖案的刻蝕。

如今幹法刻蝕已經被廣（guǎng）泛使用，以（yǐ）提高精細半導（dǎo）體電路的良率。保持全晶圓刻蝕的（de）均勻性並提高刻蝕速度（dù）至關重（chóng）要（yào），當今（jīn）最先進的幹法刻蝕設備正（zhèng）在以更高的性能，支（zhī）持最（zuì）為先進的（de）邏（luó）輯和存儲（chǔ）芯片的生產。

為了創建芯片內部的微型器件，香蕉视频下载入口需要不斷地沉積一層層的薄膜並通過刻蝕去除掉（diào）其中多餘的部分，另外還要添加一（yī）些材料將不同的器件分離開來。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構建起來的。香蕉视频下载入口這裏所說的“薄膜”是指厚度小於 1 微米（μm，百萬分之一米）、無法通過（guò）普通機械加工方法製造出來的“膜”。將包含所需分子或原（yuán）子單元的薄膜放（fàng）到晶圓（yuán）上的過程就是“沉積”。

要形成多層的半導體（tǐ）結構，香蕉视频下载入口需要先製（zhì）造器件疊層， 即在晶圓表麵交替堆疊多層薄金屬（導電）膜和介電（絕緣（yuán））膜，之後再通過重複刻蝕工藝去除（chú）多餘部分並形成三維結構。可用於沉積過程的技術包括化學氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉（chén）積(PVD)，采用這些技術的方法又可以分為幹（gàn）法和濕法沉積兩（liǎng）種。

化學氣相沉（chén）積

在化（huà）學氣相沉積（jī）中，前（qián）驅氣體會在反應腔發生（shēng）化學反應並（bìng）生成附著（zhe）在晶圓表麵的薄膜（mó）以及被抽出腔室的副產物。等離子體增強化學（xué）氣相沉積則需要借助等離子體產生反應（yīng）氣體。這（zhè）種（zhǒng）方（fāng）法（fǎ）降低了反應溫度，因此非常適合（hé）對（duì）溫度敏感的結構。使用等（děng）離子體還可以減少沉積次數，往往可以帶來更高（gāo）質量的薄膜。

原子層沉積

原子（zǐ）層沉積通過每（měi）次隻沉積幾個原子層從而形成薄膜。該方法的關（guān）鍵（jiàn）在於循環按一定順序進行的獨立步驟並保（bǎo）持（chí）良好的控（kòng）製。在晶圓表麵塗覆前驅體是第（dì）一步，之後引（yǐn）入不同的氣體與前驅體反應即可在晶圓表麵形（xíng）成所（suǒ）需的物質。

物理氣相沉積

顧名思義，物理氣相沉積是指通過物理手段形成薄（báo）膜。濺射就（jiù）是一種物（wù）理氣相（xiàng）沉積（jī）方法，其原理是通過氬（yà）等（děng）離子體的轟擊讓靶材的原子濺射出來並（bìng）沉積在晶圓表（biǎo）麵形成薄膜。在某些情況下，可以通過紫外線熱處理(UVTP) 等技（jì）術（shù）對沉積膜（mó）進行處理並改善其性能。

半導體的導電性處於（yú）導體與非導體（即絕緣體）之間，這種特性使香蕉视频下载入口能完全掌控電流（liú）。通過基於晶圓的光刻、刻（kè）蝕和沉積工藝可以構建出晶體管等元件，但（dàn）還（hái）需要將它們連（lián）接起（qǐ）來才能實（shí）現電力與信號的發送與接收。

金屬因其具有導電性而被用於電路互連。用於半導體（tǐ）的金屬需要滿足以下條件：

· 低電阻率：由（yóu）於金屬電路需要傳遞電流，因此其中的金屬應具有較（jiào）低的電阻。

· 熱化學穩定性：金屬互連過程（chéng）中金屬（shǔ）材（cái）料的（de）屬性必須保持不變。

· 高可靠性：隨著集成電路技術的發展，即便是少量金屬互（hù）連（lián）材料也必須具備足夠的耐用性。

· 製造成本：即使已（yǐ）經滿足前麵三個條件，材（cái）料成本過高的話也無法滿足批量生產的需要（yào）。

互連工藝主要使用鋁和銅這兩種物質。

鋁互連工藝

鋁（lǚ）互連工藝始（shǐ）於鋁沉積、光刻膠應（yīng）用以及曝光與顯影，隨後通過刻蝕有選擇地去除任何多餘的鋁和光刻膠，然後才（cái）能進入氧化過（guò）程。前述步驟完成後再不斷（duàn）重複光刻、刻蝕和沉積過程直（zhí）至完成互連。

除了具有出色的導（dǎo）電性，鋁還具有容易光（guāng）刻、刻蝕和沉積的特點。此外（wài），它（tā）的成本較（jiào）低，與氧（yǎng）化膜（mó）粘附（fù）的效果也比較好。其缺點是容（róng）易腐蝕且（qiě）熔點較低。另外，為防止（zhǐ）鋁與矽反應導致連接問題，還需要添加金屬沉積物將鋁與晶圓隔開，這種沉積物被稱為（wéi）“阻（zǔ）擋金屬”。

鋁電路是通（tōng）過沉積形成的。晶圓進入真空腔後，鋁顆粒形成的薄膜會附著在晶圓上。這一過程被稱為“氣相沉積 (VD) ”，包括化學氣相沉積和（hé）物理氣相沉積。

銅互連工藝

隨著半導（dǎo）體工藝精密度的提升以及器件尺寸的縮小，鋁電路的連接速度和電氣特性逐漸無法滿足要求，為此香蕉视频下载入口（men）需（xū）要（yào）尋找滿足尺寸（cùn）和成本兩方麵要求的（de）新導體。銅之所以（yǐ）能取代（dài）鋁的（de）第一個原因（yīn）就是（shì）其電阻更低，因此能實現更快的（de）器件（jiàn）連接速度。其次銅的可（kě）靠性更高（gāo），因為它比（bǐ）鋁更能抵（dǐ）抗電遷移，也就是（shì）電流流過金屬時發生的金屬離子運動。

但是，銅不容易形成化合物，因此很難將其氣化並從（cóng）晶（jīng）圓表麵去除。針對這個問題，香蕉视频下载入口（men）不再去刻蝕銅，而是沉（chén）積和刻蝕介電材料，這樣就可以在需要的（de）地方形成由溝道和通路孔組成的（de）金屬（shǔ）線路圖形，之後再將銅填（tián）入前述“圖（tú）形”即（jí）可實（shí）現互連，而最後的（de）填（tián）入過程被稱為“鑲嵌工藝”。

隨著（zhe）銅原子不斷擴散至電介質，後者的絕緣性會降（jiàng）低（dī）並產（chǎn）生阻擋銅原子（zǐ）繼續擴散的阻擋層。之後阻擋層上會形成很薄的（de）銅種子層。到這一步之後就可以進（jìn）行電鍍，也（yě）就是用銅填充高深寬比的圖形。填充後多餘的銅可以用金屬化學機械（xiè）拋光 (CMP) 方法去除，完成後即（jí）可（kě）沉積氧（yǎng）化膜，多餘的膜則用光刻和刻蝕工藝（yì）去（qù）除即可。前述整（zhěng）個過程需要不斷重複直至完成銅互連為止。

通過上述對比可以看（kàn）出（chū），銅互連和鋁互連的區別（bié）在於（yú），多餘的銅（tóng）是通過金屬 CMP 而非刻蝕去除的。

測（cè）試的主（zhǔ）要目標是檢驗半導體芯片（piàn）的質量是否達到一定標（biāo）準，從而（ér）消除不良產品、並（bìng）提高芯（xīn）片（piàn）的可靠性。另外，經測試有缺陷的產品不會進入封裝步驟，有助（zhù）於節省成本和時間。電（diàn）子管（guǎn）芯分選 (EDS) 就是一種針對晶圓（yuán）的測試方法。

EDS 是一種檢驗晶圓狀態中各芯片的電氣特性並由此（cǐ）提升半導體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下：

01 電（diàn）氣參（cān）數監控 (EPM)

EPM 是半導（dǎo）體芯片測試的第一（yī）步。該步（bù）驟將對半導體集成電路需要用到的每個器件（包括晶體管、電容器（qì）和二極（jí）管）進行測試，確保其（qí）電（diàn）氣參數達標。EPM 的主要作用是提（tí）供測得的電（diàn）氣特性數據，這些數據將被用於提高半導體（tǐ）製造工藝的效率和產（chǎn）品性能（並非檢測不良產品）。

02 晶（jīng）圓老化測試（shì）

半導體（tǐ）不良率來自兩個（gè）方麵，即（jí）製造缺陷的比（bǐ）率（早（zǎo）期（qī）較高）和之後整（zhěng）個生命周期發生缺陷的比率。晶圓老化測試是（shì）指將晶（jīng）圓置於一定的溫度和 AC/DC 電壓下進行測試，由此（cǐ）找出其中可能在早期發生缺陷的產品，也（yě）就是說通過（guò）發現潛在缺陷來提升最終產品的（de）可靠性。

03 檢測

老化測試（shì）完成後就需要用探針卡（kǎ）將半導體（tǐ）芯片連接到測（cè）試裝置，之後（hòu）就可以對晶（jīng）圓進（jìn）行溫度、速度和運動測試以檢驗相關半導體功能。具（jù）體測試步驟的說明請見（jiàn）表格。

04 修補

修補是最重要的測（cè）試（shì）步驟，因為某些不良芯（xīn）片是可（kě）以修複的，隻需替換掉其中存在問題的元件即可。

05 點墨

未能通過電氣測試的芯片已經（jīng）在之前（qián）幾個步驟中被分揀出來（lái），但還需要加上標記才能區分它們。過（guò）去香蕉视频下载入口需（xū）要用特殊墨水標記有缺陷的（de）芯片（piàn），保證它們用肉眼即可識別，如今（jīn）則是由係統根據測試數據值自動進（jìn）行分揀。

經過之前幾個（gè）工藝處理的晶圓上會形成大小相等（děng）的方形芯片（又（yòu）稱“單個晶（jīng）片”）。下麵要做的就是通過切割（gē）獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆（cuì）弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝，包括在半導體芯片（piàn）外部形成保護殼和讓它們（men）能夠與外部交換電信號。整（zhěng）個封裝製程分為五步（bù），即（jí）晶圓鋸切、單個晶片附著、互（hù）連、成型和封裝測試。

01 晶圓鋸切

要想從晶圓（yuán）上（shàng）切出無（wú）數致密排列的芯（xīn）片，香蕉视频下载入口首先要仔細“研（yán）磨”晶圓的背麵直至其厚度能夠滿足封裝工藝的需要（yào）。研（yán）磨後，香蕉视频下载入口就可以沿著晶圓上的劃片線進行切割，直至將半導體芯片分離出來。

晶圓鋸切技術有三（sān）種：刀片切割、激光切（qiē）割和等離子切割。刀片切割是指用金剛石刀片切割晶（jīng）圓，這種方法容易產生摩擦熱和碎屑並因此損壞晶圓。激光（guāng）切割的（de）精度更高，能輕鬆處理厚度較薄或劃片線間距很小的 晶 圓。等離子（zǐ）切割采用等離子刻（kè）蝕的原 理，因此即使（shǐ）劃（huá）片線間距非常（cháng）小，這種技術同樣能適用。

02 單個晶片附著

所有芯片都從晶圓（yuán）上分離後，香蕉视频下载入口需要（yào）將單獨的芯片（單個（gè）晶片）附著到（dào）基底（引線框架（jià））上。基底（dǐ）的作用是（shì）保護半（bàn）導體芯片（piàn）並讓它們能與外部電路進行電信號交換。附著芯片時可以使用液體或固體帶狀粘（zhān）合（hé）劑。

03 互連

在將（jiāng）芯片附著到基（jī）底上之後，香蕉视频下载入口還需要連接二者的接觸點才能（néng）實現（xiàn）電信號交換。這一步可以使用的連接方法有兩種：使用（yòng）細金屬（shǔ）線的引（yǐn）線鍵合和使用球形金塊或錫塊的倒裝芯片鍵（jiàn）合。引線鍵合屬於傳統方法，倒（dǎo）裝芯（xīn）片鍵合技（jì）術可（kě）以加快半導（dǎo）體製造的速度。

04 成型

完成半導體芯片的連接後，需要利用成型工藝給（gěi）芯片外部加一個包裝，以保護半導體集成電路不受溫度和濕度等外部條件（jiàn）影響。根據需要製成封裝模具後，香蕉视频下载入口要（yào）將半導體芯片和環氧模（mó）塑料 (EMC) 都放入模具中並（bìng）進（jìn）行密封。密封之後的芯片就（jiù）是最終（zhōng）形態了。

05 封（fēng）裝（zhuāng）測試

已經具有最終（zhōng）形態的芯片還要通過最後的缺陷測試。進（jìn）入最終測（cè）試的全部是成品的半導體芯片。它們將被放入測試設備，設定不同的條件例如電（diàn）壓、溫度和濕度等進行電氣、功能和速度測試（shì）。這些測（cè）試的結果可以用來發現缺陷、提（tí）高產品質量（liàng）和（hé）生產效率。

封裝（zhuāng）技術的演變

隨著芯片體（tǐ）積的減少和性能要（yào）求的提升，封裝在過去數年間已經（jīng）曆了多次（cì）技術革新。麵向未來的一些封裝技術和方（fāng）案包括將沉積用於傳統（tǒng）後道（dào）工藝，例如晶圓級封裝 (WLP)、 凸塊工藝（yì）和重布線層(RDL)技術，以及用（yòng）於前道晶圓製造的的刻蝕和（hé）清潔技術。

什麽是先（xiān）進封（fēng）裝？

傳統封裝需要將每個芯片都從晶（jīng）圓中切割出來（lái）並放入模具中。晶圓（yuán）級封裝 (WLP) 則是先進封裝技術（shù）的一種 , 是指直接封裝仍在晶圓上的芯片。WLP 的流程是先封裝測試，然後一次性將所有已成型的芯片從晶（jīng）圓（yuán）上分離出來（lái）。與傳統封裝相比，WLP 的優（yōu）勢在（zài）於更低的生產成本。

先進（jìn）封裝可劃分（fèn）為（wéi） 2D 封裝、2.5D 封（fēng）裝和（hé） 3D 封裝。

更小的 2D 封（fēng）裝

如前所述，封裝工藝的主要用途包括將半導體芯片的信號發送到外（wài）部，而在晶圓（yuán）上形成的凸塊就是發送輸入 / 輸出信號的接觸點。這些凸塊分為扇入型 (fan-in) 和扇（shàn）出型 (fan-out) 兩種，前（qián）者的扇形在芯片內（nèi）部，後者的扇形則要超出芯片（piàn）範圍。香蕉视频下载入口將輸入/輸出信號稱為 I/O（ 輸入/輸 出）， 輸入/輸出數量（liàng）稱為 I/O 計數。I/O 計數是確定封裝方法的重要依據。如果I/O計數低就采用扇入封（fēng）裝（zhuāng）工藝。由於封裝後芯（xīn）片尺寸變（biàn）化不大，因此這（zhè）種過程又（yòu）被稱為芯片級封裝(CSP)或晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)。如果 I/O 計數較（jiào）高，則通常要采用扇出型封裝工藝，且除（chú）凸塊外還（hái）需要重布線層 (RDL) 才（cái）能實現信號（hào）發送。這就是（shì）“扇（shàn）出型晶圓級封裝 (FOWLP)”。

2.5D 封（fēng）裝

2.5D 封裝技術可以將兩種或更多類（lèi）型的芯片放入單個封裝，同時讓信號橫向傳送，這樣可以提升（shēng）封裝的尺寸和性能。最廣泛使用（yòng）的 2.5D封裝方法是通過矽中介層將內存（cún）和邏輯芯片放入單（dān）個（gè）封裝。2.5D 封裝（zhuāng）需要矽通孔 (TSV)、微型凸塊和小間距 RDL 等核心技術。

3D 封裝

3D 封裝技術可以將兩種或更多類型的芯片放（fàng）入（rù）單個封裝，同時（shí）讓 信 號 縱（zòng） 向 傳 送。這 種 技 術 適 用於更小和 I/O 計數更（gèng）高的半導體芯片（piàn）。TSV 可用於 I/O 計數（shù）高的芯片，引線鍵合（hé）可用於 I/O 計數低的芯片，並最（zuì）終形成芯片垂直排列的信（xìn）號係統。3D 封（fēng）裝需要的核心技（jì）術包括 TSV 和微型凸塊技術（shù）。

至此，半導體產品（pǐn）製造的八個步驟“晶圓加工 - 氧化 - 光刻 - 刻蝕 -薄膜沉積 - 互連 - 測試 - 封裝”已（yǐ）全部介紹完畢，從“沙粒”蛻變到“芯片（piàn）”，半導體科技正在上演現實版“點石成金”。