技術優點:
應用場景 | 傳統(tǒng)方法局限性 | 微波PLASMA優勢 |
光刻膠去除 | 耗時、化學(xué)汙染 | 快速、無化學殘留 |
芯片封裝處理 | 高溫損傷、均勻性(xìng)差 | 低溫(wēn)操(cāo)作、高均勻性 |
刻蝕(shí)工藝 | 精度不足、材料限製 | 納米級精度、多材料兼容 |
應用場(chǎng)景 | 傳統(tǒng)方法局限性 | 微波PLASMA優勢 |
光刻膠(jiāo)去除 | 耗時、化學汙染 | 快速、無化學殘留 |
芯片封裝處理 | 高溫損傷、均(jun1)勻性差 | 低溫操作、高均勻性 |
刻蝕工藝 | 精度(dù)不足、材料限製 | 納米級精(jīng)度、多材料(liào)兼容 |
應用場景 | 傳統(tǒng)方法局限性 | 微波PLASMA優勢 |
光刻膠去除 | 耗時、化學(xué)汙染 | 快速、無化學殘留 |
芯片封裝處理 | 高溫損傷、均勻性(xìng)差 | 低溫(wēn)操(cāo)作、高均勻性 |
刻蝕(shí)工藝 | 精度不足、材料限製 | 納米級精度、多材料兼容 |